Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (12)Автореферати дисертацій (1)Реферативна база даних (58)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Гайдар Г$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 44
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Гайдар Г. П. 
Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 1. - С. 98-102. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_1_18
Проаналізовано умови прояву ефекту самоорганізації у процесі вирощування нанооб'єктів (типу нанокластерів або квантових точок) із використанням методу молекулярно-променевої епітаксії. Показано, що за такого способу вирощування недоцільно намагатися досягти термодинамічно-рівноважних умов, а потрібно оптимізувати температурний режим росту для того, щоб одночасно забезпечити як ефективний прояв процесу самоорганізації, так і запобігти появі дислокацій невідповідності на межі твердої та газової фаз.
Попередній перегляд:   Завантажити - 264.734 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Баранський П. І. 
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 11. - С. 77-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_11_15
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n-Si:As наявність градієнта температури на межі рідкої та твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не призводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легувальної домішки. Цей факт продемонстрував домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легувальної домішки за рахунок kT, що відбувається за температури <$E T~=~1412~symbol Р roman C> у процесі вирощування легованих монокристалів n-Si з розплаву.
Попередній перегляд:   Завантажити - 155.916 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Вишневський І. М. 
Розвиток ядерних технологій в Інституті ядерних досліджень НАН України [Електронний ресурс] / І. М. Вишневський, Г. П. Гайдар, О. В. Третьякова, В. О. Гайдар // Ядерна фізика та енергетика. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 195-203. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2014_15_2_14
Висвітлено результати, одержані в Інституті ядерних досліджень НАН України, щодо розробок і використання ядерних технологій, реалізованих у ході виконання бюджетних тем, науково-технічних і технологічних проектів та інноваційних програм.
Попередній перегляд:   Завантажити - 300.998 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Баранський П. І. 
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 54-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_4
Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоерс <$E DELTA alpha~=~alpha sub ||~-~alpha sub symbol <94>> у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації (при X || J || [111] в n-Ge і X || J || [100] в n-Si), а також зв'язки, які існують між параметрами анізотропії термоерс <$E М~=~alpha sub || sup roman ф "/" alpha sub symbol <94> sup roman ф> і анізотропії рухливості <$E K~=~mu symbol <94> "/" mu sub ||>. Показано, як вказані параметри, що характеризують анізотропію відповідних величин, можна одержати з вимірів величин на макрорівні (тобто з вимірів питомого опору <$E rho sub 0> і <$E rho sub inf>, а також термоЕРС <$E alpha sub 0> і <$E alpha sub inf>) у багатодолинних недеформованих і направлено-деформованих (у разі механічного навантаження <$E X~symbol О~inf>) напівпровідниках. Проведено зіставлення параметрів К і М, виміряних на монокристалах n-Si, легованих домішкою фосфору через розплав та шляхом ядерної трансмутації, що виникає при опроміненні кристалів кремнію тепловими нейтронами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 241.962 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Баранський П. І. 
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 42-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_7
При 77,4 К на зразках n-Si(P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору <$E rho sub x "/" rho sub 0> залежно від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах <$E 0~symbol Г~X~symbol Г~0,8> ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 <$E symbol Р>C, а другий раз - при 650 <$E symbol Р>C протягом різних проміжків часу (в інтервалі <$E 0~symbol Г~t~symbol Г~45> год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду <$E mu> та параметра анізотропії рухливості <$E К~=~mu sub symbol <94> "/" mu sub ||> у монокристалах n-Si(P) залежно від часу їх термовідпалу (в межах <$E 0~symbo Г~t~symbol Г~10> год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 <$E symbol Р>C).
Попередній перегляд:   Завантажити - 506.226 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Баранський П. І. 
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 69-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_8
Особливості розмірів та структури нанооб'єктів обумовлюють ряд їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки і порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях, сумірних з міжатомними, ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас; і т. ін. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень за умови зміни температурних умов. Обговорено застережні заходи з метою зменшення темпів процесів деградації наноструктур.Розглянуто основні особливості нанооб'єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО.Зазначено, що особливості розмірів і структури нанооб'єктів обумовлюють низку їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки та порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях сумірних з міжатомними ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас тощо. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень у разі зміни температурних умов. Розглянуто застережні заходи з метою зниження темпів процесів деградації наноструктур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 379.609 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Гайдар Г. П. 
Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках (Огляд) [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 7-20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_3
Розглянуто механізми формування і способи виявлення макроскопічної анізотропії властивостей багатодолинних напівпровідників (БДН) кубічної симетрії під дією направлених зовнішніх впливів (одновісна пружна деформація, магнітні (неквантуючі) поля довільної напруженості). Встановлено зв'язок між недіагональними компонентами тензора термоерс <$E alpha hat> як для n-Si, так і для n-Ge, а також з'ясовано причини, які призводять у випадку БДН (навіть при незначній анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 272.664 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Гайдар Г. П. 
Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge у широкому інтервалі концентрацій [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 58-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_1_10
За температури Т = 77,4 K досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій <$E 10 sup 14~symbol Г~n sub e~symbol Г~2~cdot~10 sup 19> см<^>-3 і механічних напружень <$E 0~symbol Г~x~symbol Г~1,5> ГПа та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електронного газу в цих кристалах. Наведено фізичне обгрунтування одержаних результатів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 177.875 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Баранський П. І. 
Визначення параметра анiзотропiї термоерс захоплення в багатодолинних напiвпровiдниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_10_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 170.71 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Баранський П. І. 
Концентрацiйна залежнiсть тензоопору монокристалiв n−Si [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2013_9_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 205.844 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Баранський П. І. 
Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_5_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 188.288 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Гайдар Г. П. 
Експериментальний доказ незмiнностi форми iзоенергетичних елiпсоїдiв n–Ge в умовах сильної одновiсної пружної деформацiї [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2015_6_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 973.03 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Баранський П. І. 
Анізотропія термоелектричних властивостейбагатодолинних напівпровідників кубічної симетрії під впливом зовнішніх спрямованих дій [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2014. - № 1. - С. 13-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2014_1_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 555.857 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Баранский П. И. 
Анизотропия термоэлектрических свойств многодолинных полупроводников кубической симметрии под влиянием внешних направленных воздействий [Електронний ресурс] / П. И. Баранский, Г. П. Гайдар // Термоэлектричество. - 2014. - № 1. - С. 14-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2014_1_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 895.826 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Гайдар Г. П. 
Вплив термообробки на параметр анізотропії термоЕРС захоплення трансмутаційно легованих кристалів кремнію [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Термоелектрика. - 2016. - № 4. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2016_4_3
Показано, що за співпадаючих (у межах похибок вимірів) величин параметра анізотропії рухливості <$EK~=~mu sub { symbol <94> } ~"/" mu sub ||>, значення параметра анізотропії термоерс <$EM~=~alpha sub || sup Ф "/" alpha sub { symbol <94> } sup Ф> у трансмутаційно легованих зразках n-Si є значно нижчими, ніжу кристалах n-Si, легованих тієї ж домішкою фосфору, але через розплав. Встановлено, що проведений на трансмутаційно легованих кристалах n-Si високотемпературний відпал за температури <$ET sub відп ~=~1200~symbol Р roman C>, незалежно від його тривалості (в інтервалі 2 - 72 год), призводить до зростання величини параметра M, причому цей ефект був більш яскраво виражений за швидкого охолодження (зі швидкістю ~ <$E1000~symbol Р roman C "/" хв>) від Tвідп до кімнатної температури.
Попередній перегляд:   Завантажити - 565.76 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Гайдар Г. П. 
Влияние термообработки на параметр анизотропии термоЭДС увлечения трансмутационно легированных кристаллов кремния [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. И. Баранский // Термоэлектричество. - 2016. - № 4. - С. 5-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2016_4_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 668.301 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Гайдар Г. П. 
Про деякі особливості анізотропії термоЕРС у недеформованих і пружно деформованих монокристалах n Si та n Ge [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Термоелектрика. - 2015. - № 6. - С. 34-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2015_6_5
У межах теорії анізотропного розсіяння детально проаналізовано механізми виникнення анізотропії термоерс у багатодолинних недеформованих і направлено деформованих напівпровідниках (n-Si та n-Ge) за наявності градієнта температури. Визначено тензор термоерс за умов <$Egrad T~symbol Щ~0> на основі використання узагальненого закону Ома.
Попередній перегляд:   Завантажити - 571.517 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Баранський П. І. 
Деякі термоелектричні особливості звичайних і трансмутаційно легованих кристалів кремнію [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2012. - № 1. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_1_3
Визначено параметр анізотропії термоерс захоплення M у монокристалах n-Si (<$E rho sub {300~K}~symbol @~150~symbol Ш~170> Ом <$E cdot> см), легованих домішкою фосфору через розплав і в трансмутаційно легованих (ТЛ) зразках, недеформованих та одновісно пружно деформованих. Виявлено, що в ТЛ зразках <$E n- roman Si << P >> > M<^>ТЛ = <$E alpha sub || sup PHI "/" alpha sub {symbol <94>} sup PHI~symbol Ы~5>, а в звичайних кристалах кремнію M<^>ЗВ = <$E alpha sub || sup PHI "/" alpha sub {symbol <94>} sup PHI~symbol Ы~6,8>. Розписано компоненти тензора термоерс в термоелектрично-анізотропній пластині з градієнтом температури, орієнтованим уздовж нормалі до її поздовжньої осі та відхиленим на кут <$E phi> від осі анізотропії цієї пластини, а також наведено (за літературними даними) вираз для максимального коефіцієнта корисної дії анізотропного термоелемента. Одержано п'єзоопір і п'єзотермоерс звичайних і ТЛ кристалів, які виміряно (за температури T = 85 K) за умов X // J // [001] та X // <$E grad>T // [001] відповідно.
Попередній перегляд:   Завантажити - 438.305 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Баранський П. І. 
Анізотропія термоЕРС захоплення електронів фононами в n-Ge [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2012. - № 2. - С. 29-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_2_4
Досліджено концентраційну залежність фононної складової термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge за T = 83 К. В інтервалі <$E 9,8~cdot~10 sup 11 ~symbol Г~n sub e~symbol Г~1,7~cdot~10 sup 15~roman см sup -3> вивчено концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K та параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами M, a також встановлено зв'язок, що існує між M, K і фононними складовими термоерс зразків у недеформованому і пружно деформованому станах. На кристалах n-Ge у діапазоні <$E 1,51~cdot~10 sup 15~symbol Г~n sub e ~symbol Г~4,86~cdot~10 sup 17~roman см sup -3> одержано (за кімнатної температури) концентраційну залежність диференційної термоерс <$E alpha>, а також досліджено температурну залежність <$E alpha> в інтервалі від <$E [ 190~symbol Г~T~symbol Г~370 ]> K.
Попередній перегляд:   Завантажити - 508.787 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
20.

Баранський П. І. 
Теорія анізотропного розсіяння й актуальні задачі кінетики електронних процесів у багатодолинних напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2013. - № 2. - С. 19-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2013_2_5
Викладено фізичні основи теорії анізотропного розсіяння. Звернуто увагу дослідників на вигідну їх відмінність від інших теорій, яка полягає у придатності її практичного застосування в області проміжних магнітних полів (<$E mu roman H "/" с~symbol Ы~1>), у якій використовування інших теорій виявляється малоефективними.
Попередній перегляд:   Завантажити - 402.131 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського